苹果最新发布宣城，iPhone可能会在2026年的手机上启用更大存储，但是采用的是四层单元（QLC）NAND闪存，虽然存量更大，但是会减少手机使用寿命。
消息称苹果弃TLC要用QLC闪存 容量更大。
至于为何使用QLC，可能还是跟苹果控制成本有关。
其实在这之前就有消息称，苹果可能会改变存储容量（iPhone 16上启用），不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。
QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时，由于电荷量增加，裕量减少，这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。
如果苹果继续执行这一计划，一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。
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